Улазак на тржиште кохерентног оптичког преноса! Овај главни оптоелектроник лансира ДФБ ласерски чип велике снаге

Недавно је ХиеФо, водећа компанија у области оптичких комуникација, званично лансирала свој ХЦЛ30 ДФБ ласерски чип, који је дизајниран да испуни строге захтеве кохерентног оптичког преноса.
Комбинујући велику оптичку излазну снагу са супериорним перформансама уске ширине линије, чип нуди вишеструке стандардне таласне дужине у О- и Ц-опсегу, испоручујући невиђена побољшања перформанси за центре података, повезивање вештачке интелигенције, комуникације и сенсинг опште намене.
ХЦЛ30 ДФБ ласерски чип је развијен специјално за 'Цохерент Лите' тржиште; међутим, на основу ХиеФо-ових недавних иновација у дизајну чипова, супериорне перформансе ХЦЛ30 ДФБ ласерског чипа омогућиће широк спектар апликација, укључујући центре података, АИ повезивање, комуникације и детекцију опште намене“, рекао је др Гензао Зханг, сарадник. -оснивач и извршни директор ХиеФо ласерског чипа ће се користити у широком спектру апликација као што су центри за податке, АИ повезивање, комуникације и детекција опште намене“.
ХиеФо-ов ХЦЛ30 је чип дужине шупљине од 1 мм доступан у формату матрице или чип-на носачу (ЦОЦ) који се монтира на власничку основу. Уређај је способан да постигне перформансе спектралне ширине линије мање од 300 КХз истовремено пружајући 150 мВ типичне оптичке излазне снаге.
ХЦЛ30 је идеално решење за интеграцију у данашње високо интегрисане оптичке платформе засноване на дизајну силиконске оптичке интеграције. Нове технологије ЦПО (цо-пацкед оптицс) и ЛПО (дистрибутед оптицс) такође могу да искористе предности јединствених перформанси овог недавно издатог ласерског чипа.
ХЦЛ30 је први од ХиеФо-ових нових ДФБ ласерских производа који је представљен као резултат недавних иновација у архитектури дизајна ИнП чипова. Друге варијанте производа ће бити представљене у будућности како би се задовољиле специфичне захтеве оптичког дизајна, као што су ефикасни дизајни за ултра-високу оптичку излазну снагу или перформансе веома уске ширине линије.
Лансирање следеће генерације чипа високе снаге ХГЦ20
ХиеФо је такође недавно лансирао ХГЦ20, чип следеће генерације високе снаге за интегрисане подесиве ласерске склопове (кИТЛА).
Дизајниран да одговори на критичну потребу тржишта за већом оптичком излазном снагом и мањом потрошњом енергије, ХиеФо-ов ХГЦ20 Ц+ чип за појачање опсега поставља нови стандард перформанси као градивни блок за следећу генерацију интегрисаних подесивих ласера ​​(кИТЛА).
Др Гензао Зханг је рекао: „Увођење ХГЦ20 појачања чипа је пример иновација које ће ХиеФо донети на тржиште оптичких комуникација у наредним месецима и годинама.“
Он је додао: „ХиеФо је направио значајна побољшања дизајна базе чипа која ће служити као основа за широк спектар апликација за чипове засноване на ИнП-у које ће покретати следећу генерацију оптичких интерконекција за дата центре, комуникације и тржишта повезивања са вештачком интелигенцијом. ."
ХГЦ20 је чип са шупљином дужине 1 мм монтиран на власничку основу са оптичком излазном снагом која се приближава 22 дБм (у зависности од струје погона). За апликације које захтевају нижу укупну потрошњу енергије модула, високо ефикасан дизајн ХГЦ20 омогућава до 40 процената побољшања ефикасности зидних утикача (ВПЕ) у поређењу са уобичајеним појачаним чиповима на тржишту.
ХиеФо-ова технологија чипа за појачавање је основни грађевински блок на тржишту подесивих ласера ​​више од 15 година, а ХГЦ20 наставља да води индустрију у параметрима перформанси као што су прецизност фреквенције, уска ширина линије и ниска разина шума.
Преузимање имовине произвођача оптоелектронских уређаја ЕМЦОРЕ
ХиеФо, са седиштем у Калифорнији, САД, недавно је наследио 40+-годишње наслеђе иновација у оптоелектроници од ЕМЦОРЕ-а, највећег светског добављача инерционих навигационих решења за ваздухопловну и одбрамбену индустрију, путем откупа менаџмента.
ХиеФо је сада фокусиран на развој и комерцијализацију високо ефикасних фотонских уређаја за индустрију оптичких комуникација и наставиће да тежи најиновативнијим и најреметилачким решењима за пружање услуга преносу података, комуникацијама, АИ повезивању и општој индустрији сензора.
Извештава се да је 30. априла ове године ХиеФо купио посао са чиповима и индијум фосфидом (ИнП) од ЕМЦОРЕ-а за укупну куповну цену од 2,92 милиона долара.
Ово је укључивало пренос практично све имовине повезане са ЕМЦОРЕ-овом пословном линијом чипова који није основни, укључујући и оне коришћене у његовим операцијама производње ИнП плочица у Алхамбри, Калифорнија, укључујући, али не ограничавајући се на опрему, уговоре, интелектуалну својину и инвентар.
ХиеФо ће у почетку дати у подзакуп комплетну зграду и део друге зграде на својој локацији у Алхамбри, а на крају ће дати у подзакуп две комплетне зграде, са пропорционалним плаћањима закупнине за те зграде почевши од 1. јула 2024.
ХиеФо је такође успешно ангажовао готово све кључне научнике, инжењере и оперативно особље из ЕМЦОРЕ-ових обустављених операција чипова и наставиће да послује у ЕМЦОРЕ-овом кампусу Алхамбра.
Фабрика чипса индијум фосфида наставља производњу
ХиеФо је недавно објавио да је 23. августа 2024. успешно поново покренуо производњу у свом погону за производњу вафла индијум фосфида (ИнП) у Алхамбри у Калифорнији, одмах након што је менаџмент откупио пословну имовину за производњу плочица и чипове од ЕМЦОРЕ-а. Куповина је успешно завршена почетком маја 2024. и ХиеФо је преузео операције одмах након тога.
Кроз ову трансакцију, ХиеФо не само да је апсорбовао ЕМЦОРЕ-ов оригинални тим кључних научника, инжењера и оперативних талената, већ је наследио и више од четири деценије глобалног лидерства у дизајну и производњи ИнП чипова, као и богатство интелектуалне својине у напредној оптоелектроници уређаја.
Вреди напоменути да је ЕМЦОРЕ планирао да изађе из пословања са ИнП чиповима, што је довело до суспензије пословања производње плочица на неко време. Међутим, ХиеФо је брзо наставио производне активности у кампусу Алхамбра са својим искусним основним тимом и снажном финансијском снагом.
Током протекла три месеца, ХиеФо тим је напорно радио на поновном покретању опреме у стању мировања, обнављању епитаксијалних вафла раста и способности регенерације МОЦВД реактора, поновном покретању предњег процеса микрофабрикације и изградњи комплетног тестирања уређаја, припреме чипова и процеса одвајања на бацк-енд.
Тренутно, уређаји засновани на ИнП-у које производи ХиеФо (укључујући ласере, чипове за појачавање, СОА, ПИН/АПД детекторе, итд.) прошли су ригорозне тестове верификације поузданости, а њихове перформансе, квалитет и поузданост су испунили или чак премашили утврђене стандарде.
Посебно вреди напоменути да је ХиеФо припремио новодизајниран чип за масовну производњу, који је дизајниран да подржи примопредајнике таласне дужине једног носиоца до 1,6 Тбпс, ​​демонстрирајући снагу своје технолошке иновације. Бројни водећи произвођачи оптичких модула обратили су се ХиеФо-у како би унапред наручили његове високоефикасне оптичке уређаје. Ово достигнуће представља солидан корак напред за ХиеФо у покретању иновативних решења за индустрију телекомуникација, преноса података и АИ повезивања.
Коментаришући најаву, извршни директор ХиеФо-а је рекао: „Не можемо бити више задовољни што можемо да најавимо потпуни наставак производње оптичких уређаја у нашем објекту у Алхамбри, што није само живописна демонстрација ХиеФо-ове посвећености континуитету и изврсности у оптичким високим перформансама производњу чипова, али и чврсто уверење да настављамо да водимо индустрију“.